Карбид кремния. Основные направления применения.

Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое хим соединение кремния с углеродом. Хим формула SiC. В природе встречается в виде очень редчайшего минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Употребляется как абразив (для обработки поверхности разных материалов), полупроводник,

Из-за редкости нахождения в природе муассанита, карбид кремния Карбид кремния. Основные направления применения., обычно, имеет искусственное происхождение. Простым методом производства является спекание кремнезема с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высочайшей температуре 1600—2500 °C:

Загрязнителями в большинстве случаев являются азот и алюминий, они оказывают влияние на электропроводность приобретенного материала

другие методы производства:

Незапятнанный карбид кремния можно получить при помощи так именуемого процесса Лели[13], в каком пылеобразный SiC Карбид кремния. Основные направления применения. возгоняется в атмосфере аргона при 2500 °C и осаждается на более прохладной подложке в виде чешуйчатых монокристаллов размерами до 2×2 см. Этот процесс дает качественные монокристаллы, в главном состоящие из 6H-SiC фазы (это связано с высочайшей температурой роста). Усовершенствованный процесс Лели при участии индукционного нагрева в графитовых тиглях дает еще Карбид кремния. Основные направления применения. огромные монокристаллы до 10 см в диаметре[14]. Кубический SiC, обычно, выращивается при помощи более дорогостоящего процесса — хим осаждения паров[12][15].

Незапятнанный карбид кремния также может быть получен методом теплового разложения полимера полиметилсилана (SiCH3)n, в атмосфере инертного газа при низких температурах. Относительно CVD-процесса способ пиролиза более комфортен, так как Карбид кремния. Основные направления применения. из полимера можно сформировать изделие хоть какой формы перед запеканием в керамику[16][17][18][19].

Понятно приблизительно 250 кристаллических форм карбида кремния[20]. Полиморфизм (способность вещества существовать в разных кристаллических структурах) SiC характеризуется огромным количеством похожих кристаллических структур, именуемых политипами. Они являются вариантами 1-го и такого же хим соединения, которые схожи в 2-ух измерениях, но Карбид кремния. Основные направления применения. отличаются в 3-ем. Таким макаром, их можно рассматривать как слои, сложенные в стопку в определённой последовательности[21].

Электропроводность

Карбид кремния является полупроводником, тип проводимости которого находится в зависимости от примесей. Проводимость n-типа выходит при легировании азотом либо фосфором, а p-тип — при помощи алюминия, бора, галлия либо бериллия[2]. Железная проводимость Карбид кремния. Основные направления применения. была достигнута за счет сильного легирования бором, алюминием и азотом.

Сверхпроводимость была найдена в политипах 3C-SiC:Al, 3C-SiC:B и 6H-SiC:B при схожей температуре — 1,5 К[28].

Физические характеристики:

Карбид кремния является жестким, тугоплавким веществом. Кристаллическая решетка подобна решетке алмаза. Является полупроводником.[29]

· Стандартная энтальпия образования (298 К, кДж Карбид кремния. Основные направления применения./моль): −66,1[30]

· Стандартная энергия Гиббса образования (298 К, кДж/моль): −63,7[30]

· Стандартная энтропия образования (298 К, Дж/моль·K): 16,61[30]

· Стандартная мольная теплоемкость (298 К, Дж/моль·K): 26,86[30]

· Нрав кристаллической решётки: атомный. Энергия кристаллической решётки: 299 ккал/г·форм[31]

Хим характеристики

Карбид кремния является единственным бинарным соединением, образуемым элементами IV группы Повторяющейся таблицы частей Д Карбид кремния. Основные направления применения..И.Менделеева. По типу хим связи карбид кремния относится к ковалентным кристаллам.


karenina-annotaciya-anna-karenina-stranica-93.html
karera-eto-postupatelnoe-prodvizhenie-po-sluzhebnoj-lestnice-svyazannoe-s-izmeneniem-navikov-sposobnostej-i-kvalifikacionnih-vozmozhnostej-rabotnika.html
karera-menedzhera-po-personalu-kursovaya-rabota.html